کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1809923 | 1525221 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of hydrogen on Mn-doped GaN: A first principles calculation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
First-principles calculations based on spin density functional theory are performed to study the effects of H on the structural, electronic and magnetic properties of the Mn-doped GaN dilute magnetic semiconductors. Our results show that the interstitial H atom prefers to bond with N atom rather than Mn atom, which means that H favors to form the N–H complex rather than Mn–H complex in the Mn-doped GaN. After introducing one H atom in the system, the total magnetic moment of the Mn-doped GaN increases by 25%, from 4.0μB to 5.0μB. The physics mechanism of the increase of magnetic moment after hydrogenation in Mn-doped GaN is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 425, 15 September 2013, Pages 38–41
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 425, 15 September 2013, Pages 38–41
نویسندگان
M.S. Wu, B. Xu, G. Liu, X.L. Lei, C.Y. Ouyang,