کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810667 | 1025567 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles study of electronic and structural properties of the Ge/GeO2 interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The electronic and structural properties of the Ge/GeO2 interface are addressed through a density functional simulation scheme which includes the use of hybrid functionals for achieving accurate band gaps, band offsets and defect levels. The present work discusses the germanium dangling bond levels, the thermodynamics of GeOx, the stability of the oxygen vacancy across Ge/HfO2 interfaces, the atomic structure of GeOx, electron and hole trapping in GeOx, and the band alignment at the Ge/GeO2 interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2926–2931
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2926–2931
نویسندگان
Peter Broqvist, Jan Felix Binder, Alfredo Pasquarello,