کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1810667 1025567 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles study of electronic and structural properties of the Ge/GeO2 interface
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
First principles study of electronic and structural properties of the Ge/GeO2 interface
چکیده انگلیسی

The electronic and structural properties of the Ge/GeO2 interface are addressed through a density functional simulation scheme which includes the use of hybrid functionals for achieving accurate band gaps, band offsets and defect levels. The present work discusses the germanium dangling bond levels, the thermodynamics of GeOx, the stability of the oxygen vacancy across Ge/HfO2 interfaces, the atomic structure of GeOx, electron and hole trapping in GeOx, and the band alignment at the Ge/GeO2 interface.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2926–2931
نویسندگان
, , ,