کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810686 | 1025567 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of irradiation induced changes of electrical and functional characteristics in Ge doped Si diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of irradiation induced changes of electrical and functional characteristics in Ge doped Si diodes Study of irradiation induced changes of electrical and functional characteristics in Ge doped Si diodes](/preview/png/1810686.png)
چکیده انگلیسی
P-on-n diodes fabricated on n-type Cz Si wafers with different Ge doping concentrations were irradiated with 2 MeV electrons and 1 MeV equivalent reactor neutrons using a wide range of fluences and examined by combining current and capacitance transient techniques.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2998–3001
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2998–3001
نویسندگان
E. Gaubas, A. Uleckas, J.M. Rafi, J. Chen, D. Yang, J. Vanhellemont,