کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810724 | 1025570 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Type II GaSb/GaAs quantum dot/ring stacks with extended photoresponse for efficient solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the fabrication of GaAs based p–i–n solar cells containing 5 and 10 layers of type II GaSb quantum rings grown by molecular beam epitaxy. Solar cells containing quantum rings show improved efficiency at longer wavelengths into the near-IR extending up to 1500 nm and show enhanced short-circuit current under 1 sun illumination compared to a GaAs control cell. A reduction in the open-circuit voltage is observed due to the build-up of internal strain. The MBE growth, formation and photoluminescence of single and stacked layers of GaSb/GaAs quantum rings are also presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 10, 15 May 2012, Pages 1493–1496
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 10, 15 May 2012, Pages 1493–1496
نویسندگان
Peter James Carrington, Abu Syed Mahajumi, Magnus C. Wagener, Johannes Reinhardt Botha, Qian Zhuang, Anthony Krier,