کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1810732 1025570 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The origin of a peak in the reststrahlen region of SiC
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The origin of a peak in the reststrahlen region of SiC
چکیده انگلیسی

A peak in the reststrahlen region of SiC is analyzed in order to establish the origin of this peak. The peak can be associated with a thin damaged layer on the SiC wafers, and a relation is found between surface roughness and the height of this peak, by modeling the damaged layer as an additional layer when simulating the reflectivity from the wafers.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 10, 15 May 2012, Pages 1525–1528
نویسندگان
, , , , ,