کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810732 | 1025570 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The origin of a peak in the reststrahlen region of SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A peak in the reststrahlen region of SiC is analyzed in order to establish the origin of this peak. The peak can be associated with a thin damaged layer on the SiC wafers, and a relation is found between surface roughness and the height of this peak, by modeling the damaged layer as an additional layer when simulating the reflectivity from the wafers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 10, 15 May 2012, Pages 1525–1528
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 10, 15 May 2012, Pages 1525–1528
نویسندگان
J.A.A. Engelbrecht, I.J. van Rooyen, A. Henry, E. Janzén, E.J. Olivier,