کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810934 | 1025574 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
History dependent magnetoresistance in lightly doped La2−xSrxCuO4 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The in-plane magnetoresistance (MR) in atomically smooth La2−xSrxCuO4 thin films grown by molecular-beam-epitaxy was measured in magnetic fields B up to 9 T over a wide range of temperatures T. The films, with x=0.03 and x =0.05, are insulating, and the positive MR emerges at T<4K. The positive MR exhibits glassy features, including history dependence and memory, for all orientations of B. The results show that this behavior, which reflects the onset of glassiness in the dynamics of doped holes, is a robust feature of the insulating state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 11, 1 June 2012, Pages 1915–1918
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 11, 1 June 2012, Pages 1915–1918
نویسندگان
Xiaoyan Shi, Dragana Popović, C. Panagopoulos, G. Logvenov, A.T. Bollinger, I. Božović,