کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1811104 | 1025581 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of thermal annealing on the formation of silicon nanoclusters in SiOX films grown by PLD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of thermal annealing on the formation of silicon nanoclusters in SiOX films grown by PLD Effect of thermal annealing on the formation of silicon nanoclusters in SiOX films grown by PLD](/preview/png/1811104.png)
چکیده انگلیسی
Silicon nanoclusters formation in pulsed laser deposited (PLD) silicon suboxide (SiOX) films by thermal annealing is reported. The SiOX films are prepared by ablation of silicon target at different oxygen partial pressures. The different deposition conditions are employed to study the effect of oxygen concentration on the size of the nanoclusters. Post deposition thermal annealing of the films leads to the phase separation in silicon suboxide films. Fourier transform infrared spectroscopy, micro-Raman spectroscopy and UV-vis absorption spectroscopy studies were carried out to characterize the formation of silicon nanoclusters in SiOX films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 11, 15 May 2011, Pages 2148-2151
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 11, 15 May 2011, Pages 2148-2151
نویسندگان
Nupur Saxena, Avinash Agarwal, D. Kanjilal,