کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1811337 | 1025592 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The I–V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The I–V characteristics of an InAs/GaAs quantum dot (QD) laser diode have been investigated under both the high and low input current conditions. Under the low current condition, the I–V curve obeys the Shockley equation, from which the forbidden energy gap of the junction can be derived. On the other hand, in the high current range, the I–V characteristics violate the Shockley equation and the device tends to operate as a resistance. In addition, the I–V curve can be used to fit the temperature coefficient of the forward voltage, which is a critical parameter for determining the junction temperature of the laser diode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 19, 1 October 2011, Pages 3636–3639
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 19, 1 October 2011, Pages 3636–3639
نویسندگان
Chuanhe Ma, Hailong Wang, Yan Zhou, Qian Gong, Peng Chen, Chunfang Cao, Songlin Feng, Shiguo Li,