کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1811936 | 1025604 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study of inelastic electron-phonon interactions on tunneling magnetoresistance of a nano-scale device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
âºWe investigate the effect of inelastic interaction on transport properties. âºDue to inelastic interactions tunneling magnetoresistance decreases. âºDecrease in TMR is restricted in a small voltage interval.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 3, 1 February 2011, Pages 478-481
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 3, 1 February 2011, Pages 478-481
نویسندگان
M. Modarresi, M.R. Roknabadi, N. Shahtahmasbi, D. Vahedi Fakhrabad, H. Arabshahi,