کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1812673 | 1025621 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(1 0 0) MOCVD heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(1 0 0) MOCVD heterostructures Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(1 0 0) MOCVD heterostructures](/preview/png/1812673.png)
چکیده انگلیسی
AlxGa1−xAs:Si/GaAs(1 0 0) heterostructure and homoepitaxial GaAs:Si/GaAs(1 0 0) structures grown by MOCVD were investigated. The changes observed in our experiments with highly doped AlxGa1−xAs alloys, led not only to the reconstruction of the electron density and formation of deep levels (DX-centers) with subsequent relaxation of the crystal lattice in the alloy, but also indicate at the formation of quaternary AlxGa1−x−ySiy+zAs1−z substitution-type alloy grown on GaAs(1 0 0).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 405, Issue 22, 15 November 2010, Pages 4607–4614
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 405, Issue 22, 15 November 2010, Pages 4607–4614
نویسندگان
P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov,