کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813342 | 1525241 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of impurity diffusion in silicon by IR laser excitation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a first-time attempt of diffusion control of impurities by IR excitation, by using an intensive synchrotron radiation facility, BL43IR of SPring-8. Although the result is discouraging, the plan, experimental setup, irradiation experiment, and the result on the impurity diffusion, are described in detail, in hoping improvement of experiment in the future. It is suggested that the input power employed in the present experiment is not enough to observe the intended results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 23â24, 15 December 2009, Pages 4685-4688
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 23â24, 15 December 2009, Pages 4685-4688
نویسندگان
K. Shirai, K. Matsukawa, T. Moriwaki, Y. Ikemoto,