کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813407 | 1025635 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Damage formation in Ge during Ar+ and He+ implantation at 15Â K
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Damage formation in Ge during Ar+ and He+ implantation at 15Â K Damage formation in Ge during Ar+ and He+ implantation at 15Â K](/preview/png/1813407.png)
چکیده انگلیسی
For both the implantation ions, there is about no difference between the values found for the damage efficiency per ion for the four different orientations. This together with the high value (around 5 times higher than that found in Si), gives rise to the assumption of amorphous pocket formation per incident ion, i.e. direct impact amorphization, already at low implantation fluences. At higher fluences, when collision cascades overlap, there is a growth of the already amorphized regions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4382-4385
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4382-4385
نویسندگان
M. Hayes, A. Schroeter, E. Wendler, W. Wesch, F.D. Auret, J.M. Nel,