کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813521 | 1525245 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Muonium transitions in 4H silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Preliminary low-field data on the diamagnetic muon spin rotation signal in 4H-SiC are presented. The initial results on all three electrical types of 4H-SiC are compared with those for the 6H polytype. Analysis of amplitude transitions at low temperatures in n- and p-type samples indicates carrier capture. At temperatures above 600Â K, an increase in diamagnetic amplitude and an associated dip in the phase indicate a slowly formed state in the p-type material. We discuss possible identification of transitions evident from temperature dependent diamagnetic amplitudes and correlations with neutral muonium centers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 5â7, 15 April 2009, Pages 845-848
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 5â7, 15 April 2009, Pages 845-848
نویسندگان
Y.G. Celebi, R.L. Lichti, H.N. Bani-Salameh, A.G. Meyer, B.R. Carroll, J.E. Vernon, P.J.C. King, S.F.J. Cox,