کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813523 | 1525245 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Muonium dynamics in doped Si probed by photoexcited TF-μμSR measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoexcited TF-μμSR measurements have been used recently to investigate muonium dynamics in high resistivity Si. In this paper, we report investigations of p-type and n-type Si. It is shown that illumination can induce a change in the relaxation rates of the detected muon signal in differently doped samples under both LF and TF configurations. In addition, the temperature dependence of MuBC+ in p-type Si suggests that the diamagnetic charge exchange processes are similar to that of intrinsic Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 5–7, 15 April 2009, Pages 852–855
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 5–7, 15 April 2009, Pages 852–855
نویسندگان
I. Fan, K.H. Chow, M. Egilmez, B. Hitti, B.R. Carroll, J.E. Vernon, A.I. Mansour, R. Scheuermann, B.E. Schultz, W.A. MacFarlane, J. Jung, R.L. Lichti,