کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813630 | 1025638 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Unforeseen properties of MnAs epilayers grown on GaAs semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper reviews some recent works performed on MnAs/GaAs thin films and other related structures grown by molecular beam epitaxy. The impact of epitaxy on the magneto-structural properties of MnAs and possible applications of MnAs epilayers are discussed. A brief account of recent results obtained on the magneto-transport in MnAs/GaAs/MnAs magnetic tunnel junctions is also given, highlighting several appealing and promising properties of this system for spintronics applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 18, 1 October 2009, Pages 2684-2688
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 18, 1 October 2009, Pages 2684-2688
نویسندگان
B. Rache Salles, F. Vidal, V.H. Etgens, R. Breitwieser, M. Marangolo, M. Eddrief,