کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813851 | 1525249 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of Co (Si, Ge) compounds: Ab-initio calculation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The structural and electronic properties of Co4Si4âxGex (x=0-4) compounds are investigated using density functional theory (DFT). The calculations are based on a plane-wave expansion of the electronic wave functions using pseudo-potential method and performed using the local density approximation (LDA). It is found that these compounds are semimetals with a slight overlap between valence and conduction bands. The tendency towards metallic behavior of the compounds increases in terms of Ge concentration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issues 19â20, 1 October 2008, Pages 3503-3508
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issues 19â20, 1 October 2008, Pages 3503-3508
نویسندگان
G.I. Ameereh, B.A. Hamad, J.M. Khalifeh,