کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813900 | 1525249 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Calculation of the intrinsic spectral density of current fluctuations in nanometric Schottky-barrier diodes at terahertz frequencies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An analytical model for the noise spectrum of nanometric Schottky-barrier diodes (SBD) is developed. The calculated frequency dependence of the spectral density of current fluctuations exhibits resonances in the terahertz domain which are discussed and analyzed as functions of the length of the diode, free carrier concentration, length of the depletion region and applied voltage. A good agreement obtained with direct Monte Carlo simulations of GaAs SBDs operating from barrier-limited to flat-band conditions fully validates the proposed approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issues 19â20, 1 October 2008, Pages 3765-3768
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issues 19â20, 1 October 2008, Pages 3765-3768
نویسندگان
F.Z. Mahi, A. Helmaoui, L. Varani, P. Shiktorov, E. Starikov, V. Gruzhinskis,