کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814564 | 1025651 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between electrical, optical properties and Ag2+ centers of ZnO:Ag thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
ZnO:Ag films have been fabricated on a n-Si (1 1 1) substrate and then annealed in situ in an O2 ambient, using Ag2O as a silver dopant by pulsed laser deposition. Hall measurements reveal that the films prepared at 400 and 450 °C show p-type behavior with a hole concentration of 6.3×1016–1.2×1017 cm–3 and a mobility of 2.48–3.30 cm2/V s. By combining Hall measurements, electron paramagnetic resonance (EPR) signals, and photoluminescence (PL) spectra, a correlation is observed between the free hole carriers, the Ag2+ centers, and the neutral acceptor bound excitons. Additionally, the p-ZnO:Ag/n-Si heterojunction shows a diode-like I–V characteristic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issue 12, 1 June 2008, Pages 2004–2007
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 403, Issue 12, 1 June 2008, Pages 2004–2007
نویسندگان
Rui Deng, Youming Zou, Honggao Tang,