کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814970 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fermi level dependence of Mössbauer spectroscopic components corresponding to iron interstitials and their clusters in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
57Fe deposited p- and n-type float-zone Si are studied by high temperature Mössbauer spectroscopy. After the deposition the spectra obtained at room temperature indicate that 57Fe atoms are migrating already, and forming the components due to interstitial, substitutional Fe and other clusters in Si. A measurement, i.e., simultaneously an annealing at 1273Â K for about 10 days leads further to the diffusion of 57Fe atoms into a deeper part of the matrix. The spectra depend not only on the dopants and their concentrations, but also on temperature. This Fermi level dependence will provide us information on the charge states of each Fe component in Si matrix, and therefore their energy levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 167-170
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 167-170
نویسندگان
Y. Yoshida, Y. Suzuki, A. Matsushita, K. Suzuki, K. Sakata,