کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814985 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs:Si wafer revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A Frank-type stacking fault bounded by a partial dislocation, about a few nanometers in size, was observed in a commercial GaAs:Si wafer (with the Si concentration of ∼1018cm-3) annealed at the temperature of about 950 K, by cross-sectional scanning tunneling microscopy. There existed no charge around the stacking fault, unlike in heavily Si-doped GaAs. There was a localized energy level associated with the stacking fault, as expected theoretically in the pure stacking fault in which Si atoms do not exist.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 230–233
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 230–233
نویسندگان
Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda,