کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815007 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compensating defects in Si-doped AlN bulk crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Compensating defects in Si-doped AlN bulk crystals Compensating defects in Si-doped AlN bulk crystals](/preview/png/1815007.png)
چکیده انگلیسی
The rather low n-type conductivity observed in Si-doped sublimation-grown AlN bulk crystals is explained by the formation of high concentrations of compensating defects. The model is based on the experimental verification of a shallow impurity band formed by Si donors and the presence of acceptor-like electron traps within 1 eV below the conduction band edge. Further it is suggested that the majority of the Si donors is compensated by deep acceptors in the lower half of the band gap. This compensation model is an alternative to the controversially discussed assumption of Si DX center formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 323–326
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 323–326
نویسندگان
K. Irmscher, T. Schulz, M. Albrecht, C. Hartmann, J. Wollweber, R. Fornari,