کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815102 | 1525255 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The electronic structure and crystal field of RPt3Si (R=Pr, Nd, Sm) compounds
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
First-principles calculations based on density-functional theory (DFT) were performed on RPt3Si (R=Pr, Nd, Sm) for the first time. The electronic density of states (DOS) and bonding properties were studied using relativistic full-potential APW plus local orbitals calculations. The crystal-field (CF) splitting was derived for NdPt3Si and SmPt3Si by fitting the temperature-dependent magnetic susceptibility. The starting estimate of the CF parameters for fitting procedure was obtained from first-principles calculations based on DFT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1–2, 15 November 2007, Pages 114–118
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1–2, 15 November 2007, Pages 114–118
نویسندگان
M. Diviš, J. Peltierová-Vejpravová, J. Rusz, H. Michor, G. Hilscher, P. Blaha, K. Schwarz,