کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815124 | 1525255 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of electron properties of Sn doped In2O3 nanobelts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports on the measurements of transport properties of high crystalline quality Sn doped In2O3 nanobelts. The samples presented metallic conduction in a large range of temperatures; however, at low temperatures, the resistivity showed a slight increase and the current-voltage curves showed a tendency to saturate even in the low-voltage range. From these observations, we discuss some arguments on the possibility of low dimensional conducting channels as the main responsible for the conduction at low temperatures. Additionally, we present an alternative technique for production of low resistance ohmic contacts, which can be further used in devices' construction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1â2, 15 November 2007, Pages 243-247
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1â2, 15 November 2007, Pages 243-247
نویسندگان
Adenilson J. Chiquito, Marcia T. Escote, Marcelo O. Orlandi, Alexandre J.C. Lanfredi, Edson R. Leite, Elson Longo,