کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815645 | 1025668 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High gamma dose induced damage on two types of discrete JFET transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results show that the noise was more sensitive to irradiation than the DC parameters, and the radiation effect depends on the original DC specifications. It was also found that the first dose induces noise more than the next doses. Similar effects were observed either if the irradiation is done by one single dose or by many successive accumulated doses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 1, 15 January 2009, Pages 73-78
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 1, 15 January 2009, Pages 73-78
نویسندگان
J. Assaf,