کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816643 | 1525270 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen/Deuterium-defect complexes involved in the ion cutting of Si (0 0 1) at the sub-100 nm scale
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We studied the thermal evolution of H/D-stabilized defects aiming at understanding the microscopic mechanisms leading to crystalline silicon surface blistering and exfoliation. The critical hydrogen-defect complexes involved in this phenomenon have been identified by Raman spectroscopy analysis. A plausible mechanism for the ion-cut process emerging from our analyses is proposed. Surprising but instructive effects observed under isotope substitution are also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 36–40
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 36–40
نویسندگان
O. Moutanabbir, B. Terreault, M. Chicoine, P.J. Simpson, T. Zahel, G. Hobler,