کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816644 | 1525270 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vibration problem of H in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A large discrepancy in the calculated frequency of Si–H bond in Si is found between the frozen-phonon calculation and molecular dynamic simulation. Differently from the frozen-phonon calculation, in which a linear chain structure Si–H–Si is assumed, the bond Si–H–Si is actually bending at finite temperatures. The H is rotating around the bond axis. On the average, H is observed as it were at the bond center. LDA calculation overestimates the bond length. The above two errors are cancelled out in the frozen-phonon calculation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 41–44
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 41–44
نویسندگان
K. Shirai, I. Hamada, H. Katayama-Yoshida,