کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1816646 1525270 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the Jahn-Teller distortions for the divacancy and the vacancy-group-V-atom pair in silicon
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Understanding the Jahn-Teller distortions for the divacancy and the vacancy-group-V-atom pair in silicon
چکیده انگلیسی
The Jahn-Teller (JT) distortions of the divacancy and the vacancy-group-V-atom pair in silicon are treated within a simple one-electron molecular orbital model associated with the dangling orbitals surrounding each vacancy. Properly instrumented, it predicts not only the correct sense of the distortion for the different charge states of the defects, but also provides a quantitative estimate of the magnitude of the JT distortions and the barriers for reorientation of each.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 50-53
نویسندگان
,