کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816646 | 1525270 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the Jahn-Teller distortions for the divacancy and the vacancy-group-V-atom pair in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The Jahn-Teller (JT) distortions of the divacancy and the vacancy-group-V-atom pair in silicon are treated within a simple one-electron molecular orbital model associated with the dangling orbitals surrounding each vacancy. Properly instrumented, it predicts not only the correct sense of the distortion for the different charge states of the defects, but also provides a quantitative estimate of the magnitude of the JT distortions and the barriers for reorientation of each.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376â377, 1 April 2006, Pages 50-53
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376â377, 1 April 2006, Pages 50-53
نویسندگان
G.D. Watkins,