کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816835 | 1525271 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Muonium states and dynamics in 4H and 6H silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Muonium states and dynamics in 4H and 6H silicon carbide Muonium states and dynamics in 4H and 6H silicon carbide](/preview/png/1816835.png)
چکیده انگلیسی
Two isotropic Mu0 centers are found in 4H Silicon Carbide (SiC) and a total of four Mu0 states are seen in the 6H-SiC polytype. We report the temperature dependence of hyperfine constants, signal amplitudes, and relaxation rates for three Mu0 centers in p-type 6H-SiC from spin precession data at 6Â T. Low-field results for the diamagnetic fraction imply two ionization steps with energies of 0.21 and 0.88Â eV. Additional dynamics seen in several different SiC samples are discussed; however, specific assignments of site or charge-state transitions are not yet certain.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 374â375, 31 March 2006, Pages 368-371
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 374â375, 31 March 2006, Pages 368-371
نویسندگان
H.N. Bani-Salameh, Y.G. Celebi, K.H. Chow, B.E. Coss, S.F.J. Cox, R.L. Lichti,