کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1817054 | 1025699 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic band structure pseudopotential calculation of wurtzite III-nitride materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic band structure pseudopotential calculation of wurtzite III-nitride materials Electronic band structure pseudopotential calculation of wurtzite III-nitride materials](/preview/png/1817054.png)
چکیده انگلیسی
The electronic properties of the wurtzite III-nitride compound semiconductors GaN, InN and AlN are studied within the empirical pseudopotential approach. An analytical function for both symmetric and antisymmetric parts of the pseudopotential with adjustable coefficients has been reported. Using this model the selected features of these materials such as energy gap, bandwidth, crystal-field splitting energy, Luttinger-like parameters, and effective masses are calculated and compared to experimental and recently published theoretical results and the comparisons show a good agreement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 371, Issue 1, 15 January 2006, Pages 107–111
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 371, Issue 1, 15 January 2006, Pages 107–111
نویسندگان
B. Rezaei, A. Asgari, M. Kalafi,