کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1824511 | 1027338 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First results in micromapping the sensitivity to SEE of an electronic device in a SOI technology at the LNL IEEM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we review on radiation tolerance studies on a Monolithic Pixels Detector fabricated in a commercial Silicon On Insulator (SOI) technology and we report on the first application of Ion Electron Emission Microscopy to obtain a micrometric map of its sensitivity to Single Event Upset.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 658, Issue 1, 1 December 2011, Pages 125–128
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 658, Issue 1, 1 December 2011, Pages 125–128
نویسندگان
S. Mattiazzo, D. Bisello, P. Giubilato, A. Kaminsky, D. Pantano, L. Silvestrin, M. Tessaro, J. Wyss,