کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1892327 | 1043964 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spectroscopy of an optical excited Ga doped SiO2 surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the first spectroscopical analysis of the Ga/SiO2 surface interaction in hot environment. This interaction gives rise to inclusions of Ga atoms inside the silica matrix that produce structural changes and modify the SiO2 optical characteristics. This paper discusses both the time- and the frequency-resolved spectra of the fluorescence emission following UV pulsed laser excitation of the so “doped” silica in the range 15,000-28,000Â cmâ1. The investigation is completed by the electron paramagnetic resonance (EPR) spectra of two high-purity synthetic silica samples of commercial origin after thermal treatment in presence and in absence of a Ga atmosphere.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 3, March 2007, Pages 508-511
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 3, March 2007, Pages 508-511
نویسندگان
S. Barsanti, M. Cannas, E. Favilla, P. Bicchi,