کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4623133 | 1339511 | 2007 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Asymptotic profile in a one-dimensional steady-state nonisentropic hydrodynamic model for semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
ریاضیات
آنالیز ریاضی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We study the stationary flow for a one-dimensional nonisentropic hydrodynamic model for semiconductor devices. This model consists of the continuous equations for the electron density, the electron current density and electron temperature, coupled the Poisson equation of the electrostatic potential. In a bounded interval supplemented by the proper boundary conditions, we investigate the zero-electron-mass limit, the zero-relaxation-time limit and the Debye-length (quasi-neutral) limit, respectively. We show the strong convergence of the sequence of solutions and give the associated convergence rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Mathematical Analysis and Applications - Volume 325, Issue 2, 15 January 2007, Pages 949-967
Journal: Journal of Mathematical Analysis and Applications - Volume 325, Issue 2, 15 January 2007, Pages 949-967