کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971218 | 1450464 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-volatile low-power crossbar memcapacitor-based memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper proposes the use of a memcapacitor as a new memory cell. This new element may lead to a better memory on many directions: non-volatility, speed, density, and power consumption. To the best of our knowledge, we present the first Verilog-A model for memcapacitors and use it to simulate the memory cell then complete crossbar arrays of various sizes. The reading circuits completely solve the sneak paths problem including the effect of coupling parasitics in the large arrays. Our analysis indicates that memcapacitor memories are non-volatile memories with a density at least equivalent to dynamic RAMs but with lower power consumption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 64, June 2017, Pages 39-44
Journal: Microelectronics Journal - Volume 64, June 2017, Pages 39-44
نویسندگان
Ahmed A. M. Emara, Mohamed M. Aboudina, Hossam A.H. Fahmy,