کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971249 | 1450465 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An accurate 1-V threshold voltage reference for ultra-low power applications
ترجمه فارسی عنوان
یک مرجع ولتاژ آستانه دقیق 1 ولت برای کاربردهای بسیار کم قدرت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
An ultra-low power voltage reference circuit is presented, which is based on proportional (PTAT) and complementary (CTAT) to absolute temperature current generation and performs current-mode voltage reference with first-order temperature compensation. Thanks to the use of subthreshold CMOS transistors and an operational amplifier, the circuit achieves low sensitivity to power supply variations while providing low voltage capability. Measurements show that the proposed circuit provides a reference voltage of around 597 mV and correctly operates with a supply voltage ranging from 3.3 V to 1 V and temperature variations from â40 to 85 °C. The overall current consumption is below 1 μA, thus making it suitable for RF-powered and ultra-low power sensor network applications. The chip was fabricated in a standard 0.13-μm CMOS technology and occupies a core area as low as 0.02 mm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 63, May 2017, Pages 155-159
Journal: Microelectronics Journal - Volume 63, May 2017, Pages 155-159
نویسندگان
Alessandro Parisi, Alessandro Finocchiaro, Giuseppe Palmisano,