کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971319 | 1450469 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-directed channel memristor for high temperature operation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ion-conducting memristors comprised of the layered chalcogenide materials Ge2Se3/SnSe/Ag are described. The memristor, termed a self-directed channel (SDC) device, can be classified as a generic memristor and can tolerate continuous high temperature operation (at least 150 °C). Unlike other chalcogenide-based ion conducting device types, the SDC device does not require complicated fabrication steps, such as photodoping or thermal annealing, making these devices faster and more reliable to fabricate. Device pulsed response shows fast state switching in the 10â9 s range. Device cycling at both room temperature and 140 °C show write endurance of at least 1 billion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 59, January 2017, Pages 10-14
Journal: Microelectronics Journal - Volume 59, January 2017, Pages 10-14
نویسندگان
Kristy A. Campbell,