کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971433 | 1450523 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation comparison of InGaP/GaAs HBT thermal performance in wire-bonding and flip-chip technologies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents an extensive numerical analysis of the thermal behavior of InGaP/GaAs HBTs for handset applications in a laminate (package) environment. Both wire-bonding and flip-chip technologies are examined. The combination between an accurate, yet fast, simulation capability and the Design of Experiments technique is employed to quantify the impact of all the key technology parameters and explore a wide range of operating conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 233-242
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 233-242
نویسندگان
Vincenzo d'Alessandro, Antonio Pio Catalano, Alessandro Magnani, Lorenzo Codecasa, Niccolò Rinaldi, Brian Moser, Peter J. Zampardi,