کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971433 1450523 2017 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation comparison of InGaP/GaAs HBT thermal performance in wire-bonding and flip-chip technologies
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Simulation comparison of InGaP/GaAs HBT thermal performance in wire-bonding and flip-chip technologies
چکیده انگلیسی
This paper presents an extensive numerical analysis of the thermal behavior of InGaP/GaAs HBTs for handset applications in a laminate (package) environment. Both wire-bonding and flip-chip technologies are examined. The combination between an accurate, yet fast, simulation capability and the Design of Experiments technique is employed to quantify the impact of all the key technology parameters and explore a wide range of operating conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 233-242
نویسندگان
, , , , , , ,