Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Heterojunction bipolar light-emitting transistor (HBLET); Light output power; Frequency response
مقالات ISI ترانزیستور دوطرفه (HBT) (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Low-voltage triggering SCRs for ESD protection in a 0.35 μm SiGe BiCMOS process
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Silicon Controlled Rectifier (SCR); Electrostatic discharge (ESD); Trigger voltage;
Enhancement mode GaN MOSFET for high power applications using AlGaN/GaN heterostructure
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); 2 Dimensional electron gas density (2DEG); GaN MOSFET; Heterojunction bipolar transistor (HBT); High electron mobility transistor (HEMT);
Simulation comparison of InGaP/GaAs HBT thermal performance in wire-bonding and flip-chip technologies
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Design of Experiments (DOE); Finite-element method (FEM); Flip-chip (FC); Gallium arsenide (GaAs); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Laminate technology; Thermal resistance; Wire-bonding (WB);
Advanced thermal simulation of SiGe:C HBTs including back-end-of-line
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Back-end-of-line (BEOL); Finite element method (FEM); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Self-heating (SH); Silicon germanium (SiGe); Thermal resistance;
Elimination of burn-in effect in carbon-doped InGaP/GaAs HBTs by hydrogen lateral diffusion
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Burn-in effect; Heterojunction bipolar transistor (HBT); Hydrogen; Lateral diffusion
A highly-compact packaging design for improving the thermal performance of multi-finger InGaP/GaAs collector-up HBTs
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Packaging design; Thermal performance;
Double-polysilicon SiGe HBT architecture with lateral base link
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Silicon bipolar process technology; Silicon germanium (SiGe); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Millimeter wave bipolar transistor
A selective epitaxy collector module for high-speed Si/SiGe:C HBTs
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Heterojunction Bipolar Transistor (HBT); Silicon-germanium; Cut-off frequency; Selective epitaxial growth; Implantation; Collector;
Ge quantum-dot polysilicon emitter heterojunction phototransistors for 1.31-1.55 μm light detection
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); Heterojunction bipolar transistor (HBT); Ge; Quantum dots (QDs); Polysilicon emitter; Photodetector;
Characterization of silicon–germanium heterojunction bipolar transistors degradation in silicon–germanium BiCMOS technologies
Keywords: ترانزیستور دوطرفه (HBT); 85.30.Pq; 85.40.−eSilicon–germanium (SiGe); Heterojunction bipolar transistor (HBT); BiCMOS; Degradation