کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748743 | 894784 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A selective epitaxy collector module for high-speed Si/SiGe:C HBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the results of investigations on high-speed self-aligned Si/SiGe:C HBTs featuring a selective epitaxial growth of the collector. We detail the dc and ac characteristics of the devices and demonstrate the improvement of the control of doping profiles at the base/collector junction. State-of-the-art fT value of 350 GHz has been achieved, the fT BVCEO product being equal to 525 GHz. V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 873-876
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 873-876
نویسندگان
B. Geynet, P. Chevalier, F. Brossard, B. Vandelle, T. Schwartzmann, M. Buczko, G. Avenier, D. Dutartre, G. Dambrine, F. Danneville, A. Chantre,