کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971775 | 1450533 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Advanced thermal simulation of SiGe:C HBTs including back-end-of-line
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Advanced 3-D thermal simulations of state-of-the-art SiGe:C HBTs are performed, which ensure improved accuracy with respect to conventional approaches. The whole back-end-of-line architecture is modeled so as to account for the cooling effect due to the upward heat flow. Moreover, a nonuniform power density is considered to describe the heat source, and thermal conductivity degradation effects due to germanium, doping profile, and phonon scattering in narrow layers are implemented. The numerical thermal resistances are compared with those experimentally evaluated by means of a robust technique relying on the temperature dependence of the base-emitter voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 67, December 2016, Pages 38-45
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 67, December 2016, Pages 38-45
نویسندگان
Vincenzo d'Alessandro, Alessandro Magnani, Lorenzo Codecasa, Niccolò Rinaldi, Klaus Aufinger,