کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971778 | 1450533 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of aging effects - From transistor to system level
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل اثرات پیری - از ترانزیستور به سطح سیستم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
This work presents methods to investigate the influence of age-dependent degradation as well as process-variability on different levels. An operating-point dependent sizing methodology based on the gm/ID-method extended to incorporate aging, which aims at developing aging-resistent circuits is presented. Additionally, the sensitivity of circuit performances in regard to aging can be determined. In order to investigate the reliability of a complex system on behavioral level, a modeling method to represent the performance of system components in dependence of aging and process variability is introduced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 67, December 2016, Pages 64-73
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 67, December 2016, Pages 64-73
نویسندگان
Maike Taddiken, Nico Hellwege, Nils Heidmann, Dagmar Peters-Drolshagen, Steffen Paul,