کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4990786 1457102 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal transport in thin dielectric films with minute size aluminum dot in relation to microelectronics
ترجمه فارسی عنوان
انتقال حرارتی در فیلم های دی الکتریک نازک با نقطه ضخامت آلومینیوم در رابطه با میکرو الکترونیک
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
انتقال انرژی حرارتی بین سیلیکون های نازک و الماس با وجود نقطه ذره ای آلومینیومی مورد بررسی قرار می گیرد. فیلم های نازک توسط لبه های نقطه آلومینیومی گرماده شده اند که در آن زمان به طور معنی دار افزایش دما افزایش می یابد. معادله بولتزمن وابسته به فرکانس و فرکانس برای تدوین انتقال فونون در سراسر فیلم گنجانده شده است. برای محاسبه توزیع شدت فونون یک راه حل عددی با استفاده از روش توزیع مجزا استفاده شده است. دمای تعادل متعادل برای تعیین میزان توزیع شدت فونون در تغییرات دما در فیلم معرفی شده است. یافته شده است که دمای تعادل متعادل در منطقه نزدیک نقطه نقطه آلومینیوم به شدت کاهش می یابد به دلیل پراکندگی فونون های خروجی از لبه آلومینیومی نقطه. تغییرات زمانی در دمای متعادل معادل از درجه حرارت بالا در لبه آلومینیومی به دلیل پراکندگی فونون ها در فیلم حاصل نمی شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش مقاله
انتقال حرارتی در فیلم های دی الکتریک نازک با نقطه ضخامت آلومینیوم در رابطه با میکرو الکترونیک
چکیده انگلیسی
Thermal energy transfer across the thin silicon and diamond films with the presence of aluminum minute size dot is studied. The thin films are thermally disturbed by the aluminum dot edges at which the time is exponentially increasing temperature profile was introduced. Transient and frequency dependent Boltzmann equation is incorporated to formulate the phonon transport across the film. A numerical solution incorporating the discrete ordinate method is adopted to compute the phonon intensity distribution. The equivalent equilibrium temperature is introduced to quantify the phonon intensity distribution, in terms of temperature variation, in the film. It is found that equivalent equilibrium temperature decays sharply in the close region of the aluminum dot because of scattering of emitted phonons from the aluminum dot edge. Temporal variation of equivalent equilibrium temperature does not follow exactly temperature rise at the aluminum dot edge because of scattering of phonons in the film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Thermal Engineering - Volume 127, 25 December 2017, Pages 1025-1035
نویسندگان
, , , ,