کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5000767 | 1460756 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high-temperature annealing of single-crystal HPHT diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 75, May 2017, Pages 155-160
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 75, May 2017, Pages 155-160
نویسندگان
Satoshi Masuya, Kenji Hanada, Takayoshi Oshima, Hitoshi Sumiya, Makoto Kasu,