کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010226 | 1462198 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterization of 395Â nm ultraviolet GaN light-emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this article, we demonstrated the fabrication and characterization of 395 nm GaN ultraviolet light-emitting diodes grown on patterned sapphire substrates. The current confining aperture is designed as 45, 55, 65, 75 and 85 μm. The indium tin oxide (ITO) was used as a current spreading layer. Use the metals of nickel and gold to form ohmic contact with P-AlGaN layer prior to dry etching. The 45-μm-diameter LED exhibits a 3-dB modulation bandwidth of 134 MHz at 50 mA and a light output power density of 1.2 mW (78 W/cm2) at 30 mA. In addition, the 3-dB frequency bandwidth is proportional to the square root of the injected current density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 135, September 2017, Pages 49-52
Journal: Solid-State Electronics - Volume 135, September 2017, Pages 49-52
نویسندگان
Min-Pang Lin, Chien-Ju Chen, Li-Wei Shan, Meng-Chyi Wu,