کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010295 | 1462197 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The design approach and performance of a 5-bit digital phase shifter implemented with 0.25 μm GaN HEMT technology for X-band phased arrays are described. The switched filter and high-pass/low-pass networks are proposed in this article. For all 32 states of the 5-bit phase shifter, the RMS phase error less than 5.5°, RMS amplitude error less than 0.8 dB, insertion loss less than 12 dB and input/output return loss less than 8.5 dB are obtained overall 8-12 GHz. The continuous wave power capability is also measured, and a typical input RF P1dB data of 32 dBm is achieved at 8 GHz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 136, October 2017, Pages 18-23
Journal: Solid-State Electronics - Volume 136, October 2017, Pages 18-23
نویسندگان
Pengpeng Sun, Hui Liu, Zongjing Zhang, Miao Geng, Rong Zhang, Weijun Luo,