کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010327 | 1462205 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Back-gated InGaAs-on-insulator lateral N+NN+ MOSFET: Fabrication and typical conduction mechanisms
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Back-gated InGaAs-on-insulator lateral N+NN+ MOSFETs are successfully fabricated by direct wafer bonding and selective epitaxial regrowth. These devices were characterized using a revisited pseudo-MOSFET configuration. Two different transport mechanisms are evidenced: volume conduction in the undepleted region of the film and surface conduction at the interface between InGaAs and buried insulator. We propose extraction techniques for the volume mobility and interface mobility. The impact of film thickness, channel width, and length is evaluated. Additional measurements reveal the variation of the transistor parameters at low temperature and under externally applied uniaxial tensile strain.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 80-86
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 80-86
نویسندگان
H.J. Park, L. Pirro, L. Czornomaz, I. Ionica, M. Bawedin, V. Djara, V. Deshpande, S. Cristoloveanu,