کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010338 | 1462205 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Reconfigurable FETs (RFETs) are optimized in planar Fully Depleted (FD) SOI. Their basics, electrostatics and performance are studied and compared with standard 28Â nm FDSOI and other RFETs results in the literature. The main challenge for future broad adoption is analyzed and commented. Finally, some tips to improve the performance such as the asymmetric silicidation at source/drain are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 155-162
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 155-162
نویسندگان
C. Navarro, S. Barraud, S. Martinie, J. Lacord, M.-A. Jaud, M. Vinet,