کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5010375 1462204 2017 16 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 129, March 2017, Pages 66-72
نویسندگان
, ,