کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010385 | 1462204 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An ultra-wideband CMOS PA with dummy filling for reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A V-band power amplifier in a bulk 65Â nm CMOS technology with a peak gain 14.5Â dB and 3-dB bandwidth of 28.8Â GHz (50.8-79.6Â GHz) is presented. The techniques to boost bandwidth and power efficiency are presented. In addition, the design of dummy filling to satisfy manufacturing density requirements while having negligible effects on performances is discussed in details. The PA features a three stage transformer coupled differential architecture with integrated input and output baluns on-chip. The PA achieves a measured saturated output power of 15.1Â dBm and output 1Â dB compression power of 12.9Â dBm at 65Â GHz. The peak power-added efficiency is 18.9%. The entire PA occupies area of 0.31Â mm2, while consuming 150Â mW from a 1.25Â V supply.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 129, March 2017, Pages 125-133
Journal: Solid-State Electronics - Volume 129, March 2017, Pages 125-133
نویسندگان
Yu-Ting Chang, Yu Ye, Hongtao Xu, Calvin Domier, N.C. Jr, Q. Jane Gu,