کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010416 | 1462207 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we report on the structure and characteristics of an indium gallium arsenide (InGaAs) channel fin field effect transistor (FinFET) with a regrown source/drain. The fabrication process we propose is suitable for forming a channel with a high aspect ratio. In simulations, the subthreshold characteristics and drain current (Id) were improved by reducing the fin width. Following the simulations, fabricated devices showed improved gate controllability after the fin width was reduced. A short-channel device (Lch = 50 nm, Hfin = 50 nm, and Wfin = 20 nm) showed an Id of 367 μA/μm and a minimum subthreshold swing (SSmin) of 211 mV/dec at Vd = 0.5 V. The maximum-to-minimum Id ratio was 105.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 92-95
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 92-95
نویسندگان
Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto,