کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010425 | 1462207 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of hydrogen anneal on low frequency noise of n- and p-MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we present a detailed investigation of the impact of hydrogen anneal on the low frequency noise spectra of n- and p-MOS devices from an advanced CMOS technology node. We investigate the impact of hydrogen anneal in three different wafers, one with one time hydrogen anneal step (1ÃH2), one with two times (2ÃH2) and one without hydrogen anneal (w/o H2). The results demonstrate that the carrier number with correlated mobility fluctuations model can explain accurately the 1/f noise results. A significant reduction of the 1/f noise level was observed for the device treated with two times hydrogen anneal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 158-162
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 158-162
نویسندگان
E.G. Ioannidis, W.C. Pflanzl, E. Stueckler, V. Vescoli, S. Carniello, E. Seebacher,